铠侠将扩建位于北上市的工厂， 以提高3D NAND闪存产量
新的Fab 2工厂将建于目前Fab 1工厂的东侧，采用最先进的节能环保制造设备，并使用可再生能源，同时还会加强对建筑物的抗震结构设计。此外，铠侠还将利用基于人工智能的尖端制造技术，以提升整个北上市工厂的产品质量，从而满足云服务、5G、物联网、人工智能、自动驾驶和元宇宙等不同领域中对闪存的需求增长，更好地扩展铠侠的闪存业务。
铠侠相关负责人表示，Fab2工厂的建设是铠侠进一步加强先进内存产品战略开发和生产能力的重要里程碑，使铠侠在应对内存产品日益增长的市场需求方面处于更加有利的竞争地位，新工厂不仅增加了铠侠的产能，还会成为铠侠未来实现高水平、可持续运营的重要基地。
铠侠将从其运营现金流中，为Fab 2工厂的建设提供资本。不过铠侠还计划与西部数据进行讨论，未来将双方合作的闪存项目，扩大投资到Fab 2工厂上。东芝于1987年推出了全球首个NAND闪存芯片，铠侠作为东芝原业务的继承者，目前仍是世界上最具规模的NAND闪存芯片生产商之一。
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