中科院研究员澄清5nm光刻机技术为误读，国产水平在180nm（组图）

近日，有关“新型5nm超高精度激光光刻加工方法”论文的通讯作者、中科院研究员、博士生导师刘前在接受媒体采访时澄清，这一技术与高端光刻机采用的极紫外光刻技术（EUV）是两回事。

今年7月，中科院网站刊登了一则国产5nm光刻技术获突破的新闻，中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所张子旸研究员，与国家纳米科学中心刘前研究员合作，在《纳米外报》上发表了一篇研究论文，述了该团队开发的新型5nm超高精度激光光刻加工方法。

中科院突破5nm光刻技术的新闻，恰逢华为遭遇美国技术封锁、寻求出路的时刻。这一突破让国人看到了希望。消息一出，社交媒体上一片沸腾。但随后这条新闻被删除。

刘前解释，中科院研发的5nm超高精度激光光刻加工方法的主要用途是制作光掩模，这是集成电路光刻制造中不可缺少一个部分，也是限制最小线宽的瓶颈之一。但即便这一技术实现商用化，要突破光刻机巨头荷兰公司ASML的垄断，还有很多核心技术需要突破，例如镜头的数值孔径、光源的波长等。况且这一技术目前还在实验室阶段。

按照制程，光刻机工艺可以分为180nm、90nm、65nm、45nm、22nm、14nm、7nm等。根据外媒报道，在日前的ITF论坛上，与全球光刻机巨头ASML合作研发半导体光刻机的比利时半导体研究机构 IMEC 正式公布，ASML对于3纳米、2纳米、1.5纳米、1纳米，甚至是小于1纳米的工艺都做了清楚的发展规划。

国内的光刻机到底在什么水平？一位半导体产业界资深人士对AI财经社说，目前可以实现180nm制程，但还在试用阶段，仍需要攻克。

一位光刻机行业人士曾对AI财经社透露，据他了解，目前上海微电子仅有一台尚没有量产、能做到90nm制程的光刻机，使用的实际上是海外20年前的光源技术。

在国家2008年启动的扶持芯片设备的02专项中，光刻机是花钱最多的项目，一投就是10多年，为什么一直没有做出追赶世界潮流的先进产品？

前述半导体行业人士称，这并不完全是技术问题，而是产业环境问题。在华为事件发生之前，国产设备一直处于鄙视链下游，客户都不愿意配合使用和测试。“送给别人用，人家都不愿意花时间，天生觉得你不行，在那种状态下，干着都没劲。”

社交媒体上，有疑似上海微电子的员工留言说，2015年曾给国内某芯片制造厂送了一台样机，最后机器一直放在厂房里成了一堆废铁。

但在华为事件的催化下，国内厂商都看到了芯片被卡脖子的严重后果。前述半导体行业人士观察，这两年光刻机的进展快了很多。“被逼到绝路上的时候，大家都拼命帮你做，这和你自己干的劲头是不一样的。但是光刻机的进展肯定不会那么快，总体来说得一步步地往前走。”