打破围堵，中国国产光刻机实现突破（图）

继美国与荷兰之后，日本于7月23日实施限制半导体制造设备出口新规正式生效，这对中国半导体产业最尖端的芯片制造领域带来巨大压力。陆媒指出，虽然中国将因此而增加高端光刻机国产化的难度，但近日半导体界传出消息称，上海微电子预计在2023年底能将交付首台国产28奈米浸润式光刻机。

大陆半导体界最近传出消息称，上海微电子预计在2023年底能将交付首台国产28奈米浸润式光刻机。图为上海微电子制造的90nm光刻机。（图／上海微电子）

据《证券日报》，光刻机是半导体工业最重要的设备之一，决定著芯片的工艺水准和性能，是芯片制造中的关键设备，也是半导体产业核心中的核心。但是目前全球光刻机市场几乎被荷兰的艾斯麦(ASML)、日本的佳能和尼康垄断，其中ASML更是独占高端极紫外光刻机(EUV)的市场份额。

报道说，EUV光刻机有超过45万个零件，零件数量是一辆F1赛车的20倍以上，制造难度超乎想像。即便是处于世界EUV光刻机制造垄断地位的ASML，大约也只生产了其中的15%，另外85%的零件需要从全球的供应链整合而来。因此，中国推进光刻机关键技术研发以提升半导体设备国产化，是当下乃至未来相当长一段时间内，既重要紧迫，同时又有很高难度的攻坚任务。

报道指出，近日有消息称，上海微电子正极力研发28奈米浸润式DUV光刻机，预计在2023年底将国产第一台SSA/800-10W光刻机设备交付市场。而去年底官方公布华为一项名为“反射镜、光刻装置及其控制方法”(CN115343915A)的新专利，未来能在EUV光刻机核心技术上取得的突破性进展。另外，华中科技大学研制的OPC系统、哈尔滨工业大学研制的镭射干涉系统等，也各自有所突破。将加快推进14 奈米、7奈米甚至更低节点的光刻机研发工作。

大陆目前可量产90奈米以上的光刻机，与国际先进水准仍有差距，但也能满足国内市场部分需要。这显示中国在光刻机领域具有一定的技术积累和人才储备，有望逐步缩小与国际先进水准的差距。不过，光刻机涉及光学、精密机械、材料、控制等多领域复杂技术，关键技术研发具有超高难度，仅有政策和资金支援还远远不够，还需要包括技术、人才、资料等各种资源的高效组合。

报道说，光刻机是半导体产业“王冠上的明珠”，推进其关键技术研发，提升半导体设备国产化率，是中国半导体产业发展的必由之路，道路虽远，只要持续前进就会到达。