中国5奈米芯片技术，中媒唱衰还差十万八千里（图）

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在美国持续加强对中国高阶芯片技术出口限制之际，市场传出，中国芯片设备商深圳新凯来产业机械（SiCarrier Industry Machines）成功突围美国技术封锁，预期开发出的半导体新设备，将可成功助攻中国突破5奈米芯片技术瓶颈。

不过，中媒却唱衰，直指专利在手不等于技术成熟，毕竟从专利到量产，中间还有十万八千里。

据报道，来自深圳、具有国企背景的新凯来，一直以来低调神秘，却在这次Semicon China会场上喊出7奈米起步，5奈米制28奈米都能搞定的光刻技术，并用31套“以山之名”的半导体芯片制造设备，在中国半导体圈迅速窜红。

新凯来董事长戴军在Semicon China会场上表示，目前中国无法取得制造先进芯片所需的曝光机系统，特别是EUV曝光设备，但透过自家开发的非光学技术与制程机台，仍有机会以多重图案化（Multi-patterning）方式，克服部分曝光难题。

新凯来于2023年底取得中国知识产权主管机关核发的多重图案化专利，该技术利用DUV设备，配合“自对准四重图案化”（Self-aligned Quadruple Patterning, SAQP）工艺，实现接近5奈米技术指标，无需依赖昂贵的EUV设备，同时降低生产成本。

市场传出，来自深圳新凯来将突破美国的技术封锁，其本土芯片制造设备可望助中国突破5奈米技术瓶颈。（示意图，路透）

分析师指出，新凯来的芯片制造设备能在某些情况下取代光学设备，有可能为中国提供一条实现5奈米制程的替代路径。业内人士指出，面对来自美国的技术限制与封锁，中国半导体产业正积极寻求“国产替代”路线，新凯来的出现与技术突破，或成为中国迈向先进制程领域的重要一环。

但戴军也坦言，多重图案化技术虽能取代EUV设备，但会增加制程复杂度，从7奈米升级至5奈米时，相关制造步骤恐增加约20%，对良率造成挑战。

根据公司内部人士透露，新凯来的设备已被中国主要晶圆代工厂中芯国际（SMIC）采用，并与电信巨头华为有合作关系。

中媒指出，这个四重图形技术，简单来说就是把芯片上的图形反复刻蚀几次，提高电晶体的密度和性能。如果真能用这技术突破5奈米光刻，那确实算是“独辟蹊径”。

中媒直言，此次在《SEMICON China 2025》会场中没有看到从新凯来展示任何实际设备，仅有相关技术说明以及号称是新开发产品模型，这就好比说自己会做满汉全席，却连食谱都不给看一眼，谁信呐？而且，专利在手，不等于技术就成熟了，毕竟从专利到量产，中间还有十万八千里。

公开资料显示，新凯来产业机械成立于2022年，其母公司新凯来科技创立于2021年，为深圳市政府的投资基金全资持有。2024年12月，新凯来成为美国商务部新增至贸易黑名单的140家中国芯片设备商之一。

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